제조업체 제품 번호:
BSB017N03LX3 G
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
BSB017N03LX3 G-DG
설명:
MOSFET N-CH 30V 32A/147A 2WDSON
상세 설명:
N-Channel 30 V 32A (Ta), 147A (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
재고:
12799180
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제출
BSB017N03LX3 G 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
32A (Ta), 147A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
102 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
7800 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.8W (Ta), 57W (Tc)
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
MG-WDSON-2, CanPAK M™
패키지 / 케이스
3-WDSON
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
BSB017N03LX3 GDKR-DG
BSB017N03LX3GTR
BSB017N03LX3GXT
BSB017N03LX3 GCT
BSB017N03LX3 GTR-DG
BSB017N03LX3 GDKR
BSB017N03LX3GCT
BSB017N03LX3 GCT-DG
BSB017N03LX3GDKR
BSB017N03LX3G
BSB017N03LX3 G-DG
SP000604468
BSB017N03LX3GXUMA1
표준 패키지
5,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
3 (168 Hours)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
BSB013NE2LXIXUMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
0
부품 번호
BSB013NE2LXIXUMA1-DG
단가
1.85
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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